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J-GLOBAL ID：201302288116123388 整理番号：13A1513837

AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加

On the enhanced 2DEG density and mobility in AlGaN/GaN heterostructures by the reaction with metals

著者 (3件)：

徳田博邦

(福井大工)

小島敏和

(福井大工)

葛原正明

(福井大工)

資料名：

電子情報通信学会技術研究報告 (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))

巻： 113 号： 176(ED2013 37-49) ページ： 25-28 発行年： 2013年08月01日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別：会議録 (C)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

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