文献
J-GLOBAL ID:201302288348904670
整理番号:13A0794613
ナノCMOSデバイスを使った擬スピンMOSFETの設計と特性
Design and performance of pseudo-spin-MOSFETs using nano-CMOS devices
著者 (19件):
SHUTO Y.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SHUTO Y.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SHUTO Y.
(Kanagawa Acad. Sci. and Technol., Kawasaki, JPN)
,
YAMAMOTO S.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
YAMAMOTO S.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SUKEGAWA H.
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
SUKEGAWA H.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
WEN Z. C.
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
WEN Z. C.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
NAKANE R.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
NAKANE R.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
MITANI S.
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
MITANI S.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
TANAKA M.
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
TANAKA M.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
INOMATA K.
(National Inst. Materials Sci., Tsukuba, JPN)
,
INOMATA K.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
,
SUGAHARA S.
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
SUGAHARA S.
(JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2012
ページ:
688-691
発行年:
2012年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)