文献
J-GLOBAL ID:201302288369284051
整理番号:13A0759018
急勾配のサブスレショルド傾きを有するゲートオールアラウンド単結晶のようなポリシリコンナノワイヤTFT
Gate-All-Around Single-Crystal-Like Poly-Si Nanowire TFTs With a Steep-Subthreshold Slope
著者 (3件):
LIU Tung-Yu
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
,
LO Shen-Chuan
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
SHEU Jeng-Tzong
(National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
4
ページ:
523-525
発行年:
2013年04月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)