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文献
J-GLOBAL ID：201302288491923502
整理番号：13A1578031
Si(001)基板におけるナノコンタクトエピタクシによって成長したGe膜の評価
Characterization of Ge Films on Si(001) Substrates Grown by Nanocontact Epitaxy
IKEDA Wataru
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAMURA Yoshiaki
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
NAKAMURA Yoshiaki
(JST-PRESTO, Saitama, JPN)
,
OKAMOTO Shogo
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
TAKEUCHI Shotaro
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
KIKKAWA Jun
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
,
ICHIKAWA Masakazu
(Univ. Tokyo, Tokyo, JPN)
,
SAKAI Akira
(Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52 号： 9,Issue 1 ページ： 095503.31-095503.4 発行年： 2013年09月25日
JST資料番号： G0520B ISSN： 0021-4922 CODEN： JJAPB6 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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