文献
J-GLOBAL ID:201302288644540039
整理番号:13A1629526
シリコン豊富酸化物(SiO1/3)のリチウム化挙動 第一原理研究
Lithiation Behavior of Silicon-Rich Oxide (SiO1/3): A First-Principles Study
著者 (2件):
CHOU Chia-Yun
(Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
,
HWANG Gyeong S.
(Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
資料名:
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻:
25
号:
17
ページ:
3435-3440
発行年:
2013年09月10日
JST資料番号:
T0893A
ISSN:
0897-4756
CODEN:
CMATEX
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)