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文献
J-GLOBAL ID：201302288644540039
整理番号：13A1629526
シリコン豊富酸化物(SiO1/3)のリチウム化挙動 第一原理研究
Lithiation Behavior of Silicon-Rich Oxide (SiO1/3): A First-Principles Study
CHOU Chia-Yun
(Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
,
HWANG Gyeong S.
(Univ. Texas at Austin, Texas, USA)
資料名：
Chemistry of Materials
(Chemistry of Materials)
巻： 25 号： 17 ページ： 3435-3440 発行年： 2013年09月10日
JST資料番号： T0893A ISSN： 0897-4756 CODEN： CMATEX 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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