文献
J-GLOBAL ID:201302289014284219
整理番号:13A0097577
トータルドーズ照射下のサブ40nm NANDフラッシュメモリの劣化
Degradation of Sub 40-nm NAND Flash Memories Under Total Dose Irradiation
著者 (4件):
GERARDIN Simone
(Universita di Padova, Padua, ITA)
,
BAGATIN Marta
(INFN-Sezione di Padova, Padua, ITA)
,
PACCAGNELLA Alessandro
(INFN-Sezione di Padova, Padua, ITA)
,
FERLET-CAVROIS Veronique
(ESA/ESTEC, Noordwijk, NLD)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
59
号:
6,Pt.1
ページ:
2952-2958
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)