文献
J-GLOBAL ID:201302289104874384
整理番号:13A0498423
Ti/HfO2に基づく抵抗メモリのメモリ性能に及ぼすメタライゼーション後焼なましの影響
Impacts of post-metallization annealing on the memory performance of Ti/HfO2-based resistive memory
著者 (3件):
CHEN Pang-Shiu
(MingShin Univ. Sci. and Technol. Hsinfong, Hsinchu, TWN)
,
CHEN Yu-Sheng
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
,
LEE Heng-Yuan
(Industrial Technol. Res. Inst., Hsinchu, TWN)
資料名:
Semiconductor Science and Technology
(Semiconductor Science and Technology)
巻:
28
号:
2
ページ:
025016,1-7
発行年:
2013年02月
JST資料番号:
E0503B
ISSN:
0268-1242
CODEN:
SSTEET
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)