文献
J-GLOBAL ID:201302289754437795
整理番号:13A0137995
VFTLPロバスト性と信頼性試験に支配されるESD GGNFETの故障機構の比較
Comparison of Failure Mechanisms of ESD GGNFET Subjected to VFTLP Robustness and Reliability Tests
著者 (5件):
LAI Weng Hong
(Singapore Inst. Manufacturing Technol. (SIMTech), Singapore, SGP)
,
KOH C. K.
(WinTech Nano-Technol. Serv. Pte Ltd, Singapore, SGP)
,
KHOO B. S.
(WinTech Nano-Technol. Serv. Pte Ltd, Singapore, SGP)
,
CHEN Y.
(WinTech Nano-Technol. Serv. Pte Ltd, Singapore, SGP)
,
CHOW S. Y.
(WinTech Nano-Technol. Serv. Pte Ltd, Singapore, SGP)
資料名:
Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits
(Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻:
19th
ページ:
246-251
発行年:
2012年
JST資料番号:
W1259A
ISSN:
1946-1542
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)