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文献
J-GLOBAL ID：201302289942224782
整理番号：13A1365911
GaN/α-Al2O3(0001)基板上に成長したSi重ドープのInxGa1-xN(x~0.3)におけるIn取込みの著しい抑制
Marked suppression of In incorporation in heavily Si-doped InxGa1-xN (x ~ 0.3) grown on GaN/α-Al2O3(0001) template
YAMAMOTO Akio
(Univ. of Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
,
MIHARA Akihiro
(Univ. of Fukui, Fukui 910-8507, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka 558-8585, JPN)
,
NARITA Norihiko
(The Kansai Electric Power Co., Hyogo 661-0974, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 8 ページ： 082113-082113-4 発行年： 2013年08月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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