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文献
J-GLOBAL ID：201302290471604375
整理番号：13A0983571
四成分カルコゲン化物Ag2In2Ge(Si)S6単結晶の電子構造とSiによるGe置換の影響X線光電子分光法およびX線回折実験研究と理論計算
Electronic Structure of Quaternary Chalcogenide Ag2In2Ge(Si)S6 Single Crystals and the Influence of Replacing Ge by Si: Experimental X-Ray Photoelectron Spectroscopy and X-Ray Diffraction Studies and Theoretical Calculations
RESHAK A.H.
(Univ. South Bohemia in CB, Nove Hrady, CZE)
,
RESHAK A.H.
(Malaysia Univ. Perlis, Perlis, MYS)
,
KHYZHUN O.Y.
(Inst. for Problems of Materials Sci., National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR)
,
KITYK I.V.
(Czestochowa Univ. Technol., Czestochowa, POL)
,
KITYK I.V.
(Eastern European National Univ., Lutsk, UKR)
,
FEDORCHUK A.O.
(Lviv National Univ. Veterinary Medicine and Biotechnologies, Lviv, UKR)
,
KAMARUDIN H.
(Malaysia Univ. Perlis, Perlis, MYS)
,
AULUCK S.
(Council of Scientific and Industrial Res.-National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
PARASYUK O.V.
(Eastern European National Univ., Lutsk, UKR)
資料名：
Science of Advanced Materials
(Science of Advanced Materials)
巻： 5 号： 4 ページ： 316-327 発行年： 2013年04月
JST資料番号： W2374A ISSN： 1947-2935 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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