文献
J-GLOBAL ID:201302290471604375
整理番号:13A0983571
四成分カルコゲン化物Ag2In2Ge(Si)S6単結晶の電子構造とSiによるGe置換の影響X線光電子分光法およびX線回折実験研究と理論計算
Electronic Structure of Quaternary Chalcogenide Ag2In2Ge(Si)S6 Single Crystals and the Influence of Replacing Ge by Si: Experimental X-Ray Photoelectron Spectroscopy and X-Ray Diffraction Studies and Theoretical Calculations
著者 (9件):
RESHAK A.H.
(Univ. South Bohemia in CB, Nove Hrady, CZE)
,
RESHAK A.H.
(Malaysia Univ. Perlis, Perlis, MYS)
,
KHYZHUN O.Y.
(Inst. for Problems of Materials Sci., National Acad. of Sci. of Ukraine, Kyiv, UKR)
,
KITYK I.V.
(Czestochowa Univ. Technol., Czestochowa, POL)
,
KITYK I.V.
(Eastern European National Univ., Lutsk, UKR)
,
FEDORCHUK A.O.
(Lviv National Univ. Veterinary Medicine and Biotechnologies, Lviv, UKR)
,
KAMARUDIN H.
(Malaysia Univ. Perlis, Perlis, MYS)
,
AULUCK S.
(Council of Scientific and Industrial Res.-National Physical Lab., New Delhi, IND)
,
PARASYUK O.V.
(Eastern European National Univ., Lutsk, UKR)
資料名:
Science of Advanced Materials
(Science of Advanced Materials)
巻:
5
号:
4
ページ:
316-327
発行年:
2013年04月
JST資料番号:
W2374A
ISSN:
1947-2935
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)