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文献
J-GLOBAL ID：201302290493619449
整理番号：13A0937294
異なるキャッピングの組み合わせの分子ビームエピタキシャル成長InAsサブモノレーヤ量子ドットに関する総合的研究
Comprehensive study on molecular beam epitaxy-grown InAs sub-monolayer quantum dots with different capping combinations
SENGUPTA Saumya
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND)
,
MANDAL Arjun
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND)
,
GHADI Hemant
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND)
,
CHAKRABARTI Subhananda
(Dep. of Electrical Engineering, Indian Inst. of Technol. Bombay, Mumbai 400076, Maharashtra, IND)
,
MATHUR Keshav Lal
(Electronics and Communication Engineering Dep., Sardar Vallabhbhai National Inst. Technol., Surat 395007, Gujarat, IND)
資料名：
Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena
(Journal of Vacuum Science & Technology. B. Nanotechnology and Microelectronics: Materials, Processing, Measurement, and Phenomena)
巻： 31 号： 3 ページ： 03C136-03C136-4 発行年： 2013年05月
JST資料番号： E0974A ISSN： 2166-2746 CODEN： JVTBD9 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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