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文献
J-GLOBAL ID：201302290535007040
整理番号：13A0722003
SiO2/4H-SiC界面の形態的および電気的性質に対する亜酸化窒素における酸化後アニーリングの効果
Effects of a post-oxidation annealing in nitrous oxide on the morphological and electrical properties of SiO2/4H-SiC interfaces
SWANSON L. K.
(IMM, CNR, Catania, ITA)
,
FIORENZA P.
(IMM, CNR, Catania, ITA)
,
GIANNAZZO F.
(IMM, CNR, Catania, ITA)
,
ALESSANDRINO S.
(STMicroelectronics, Catania, ITA)
,
LORENTI S.
(STMicroelectronics, Catania, ITA)
,
ROCCAFORTE F.
(IMM, CNR, Catania, ITA)
資料名：
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻： 740/742 ページ： 715-718 発行年： 2013年
JST資料番号： D0716B ISSN： 0255-5476 資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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