文献
J-GLOBAL ID:201302290879344894
整理番号:13A0340311
低速陽電子ビームで調べたZnOにおけるイオン注入誘起欠陥へのSi+イオンの化学的影響
Chemical effect of Si+ ions on the implantation-induced defects in ZnO studied by a slow positron beam
著者 (7件):
JIANG M.
(Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
WANG D. D.
(Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
CHEN Z. Q.
(Hubei Nuclear Solid Physics Key Lab., Dep. of Physics, Wuhan Univ., Wuhan 430072, CHN)
,
KIMURA S.
(Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
YAMASHITA Y.
(Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
MORI A.
(Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
UEDONO A.
(Fac. of Pure and Applied Sci., Tsukuba Univ., Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
113
号:
4
ページ:
043506-043506-7
発行年:
2013年01月28日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)