文献
J-GLOBAL ID:201302290886802415
整理番号:13A0083264
低温p-GaN正孔注入層を持つGaN系発光ダイオードの性能向上
Enhanced performance of GaN based light-emitting diodes with a low temperature p-GaN hole injection layer
著者 (10件):
LI Hongjian
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
KANG Junjie
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
LI Panpan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
MA Jun
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
WANG Hui
(YangZhou ZhongKe Semiconductor Lighting Co., Ltd., YangZhou, Jiangsu Province 225009, CHN)
,
LIANG Meng
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
LI Zhicong
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
LI Jing
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
YI Xiaoyan
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
,
WANG Guohong
(Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, CHN)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
1
ページ:
011105-011105-4
発行年:
2013年01月07日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)