前のページに戻る
この文献は全文を取り寄せることができます
JDreamⅢ複写サービスから文献全文の複写（冊子体のコピー）をお申込みできます。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です。
既に、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDをお持ちの方
JDreamⅢ複写サービスのご利用が初めての方
取り寄せる文献のタイトルと詳細
文献
J-GLOBAL ID：201302291550329424
整理番号：13A1466119
光電子用途の新しいSnO2:Al/ZnO:F二重層の製作
Fabrication of a novel SnO2:Al/ZnO:F bi-layer for opto-electronic applications
RAVIKUMAR P.
(A.V.V.M. Sri Pushpam Coll. (Autonomous), P.G and Res. Dep. of Physics, Poondi, 613 503, Thanjavur, Tamil Nadu, IND)
,
RAVICHANDRAN K.
(A.V.V.M. Sri Pushpam Coll. (Autonomous), P.G and Res. Dep. of Physics, Poondi, 613 503, Thanjavur, Tamil Nadu, IND)
,
SAKTHIVEL B.
(A.V.V.M. Sri Pushpam Coll. (Autonomous), P.G and Res. Dep. of Physics, Poondi, 613 503, Thanjavur, Tamil Nadu, IND)
,
BEGUM N. Jabena
(A.V.V.M. Sri Pushpam Coll. (Autonomous), P.G and Res. Dep. of Physics, Poondi, 613 503, Thanjavur, Tamil Nadu, IND)
,
RAVICHANDRAN A. T.
(National Coll. (Autonomous), P.G and Res. Dep. of Physics, 620 001, Tiruchirappalli, Tamil Nadu, IND)
資料名：
Journal of Materials Science. Materials in Electronics
(Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 24 号： 10 ページ： 4092-4097 発行年： 2013年10月
JST資料番号： W0003A ISSN： 0957-4522 CODEN： JMTSAS 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
JDreamⅢ複写サービスとは
JDreamⅢ複写サービスは、学術文献の全文を複写（コピー）して取り寄せできる有料サービスです。インターネットに公開されていない文献や、図書館に収録されていない文献の全文を、オンラインで取り寄せることができます。J-GLOBALの整理番号にも対応しているので、申し込みも簡単にできます。全文の複写（コピー）は郵送またはFAXでお送りします
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。
※ご利用には、G-Searchデータベースサービスまたは、JDreamⅢのIDが必要です
※初めてご利用される方は、JDreamⅢ複写サービスのご案内をご覧ください。