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文献
J-GLOBAL ID：201302291681913890
整理番号：13A1230477
波長が405nmのファイバ型半導体レーザによるレーザ干渉ナノリソグラフィー
Laser Inteference Nanolithography with a 405nm Fiber Semiconductor Laser
XU Jia
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
WANG Zuobin
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
WANG Zuobin
(Univ. Bedfordshire, Luton, GBR)
,
WENG Zhankun
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
LI Zhiming
(Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Changchun, CHN)
,
SUN Xiaojuan
(Changchun Inst. Optics, Fine Mechanics and Physics, Changchun, CHN)
,
LIU Lanjiao
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
ZHAO Le
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
ZHAO Le
(Univ. Bedfordshire, Luton, GBR)
,
YUE Yong
(Changchun Univ. Sci. and Technol., Changchun, CHN)
,
YUE Yong
(Univ. Bedfordshire, Luton, GBR)
,
ZHANG Jin
資料名：
Key Engineering Materials
(Key Engineering Materials)
巻： 552 ページ： 262-267 発行年： 2013年
JST資料番号： D0744C ISSN： 1013-9826 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： スイス (CHE) 言語： 英語 (EN)
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