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文献
J-GLOBAL ID：201302291831497610
整理番号：13A0539409
200mmシリコン(111)基板の上のAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの一様な成長
Uniform Growth of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 200nm Silicon(111) Substrate
CHRISTY Dennis
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
EGAWA Takashi
(Nagoya Inst. Technol., Nagoya, JPN)
,
YANO Yoshiki
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
TOKUNAGA Hiroki
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
SHIMAMURA Hayato
(Taiyo Nippon Sanso EMC Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAOKA Yuya
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
UBUKATA Akinori
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
TABUCHI Toshiya
(Taiyo Nippon Sanso Corp., Ibaraki, JPN)
,
MATSUMOTO Koh
(Taiyo Nippon Sanso EMC Ltd., Tokyo, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 6 号： 2 ページ： 026501.1-026501.4 発行年： 2013年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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