文献
J-GLOBAL ID:201302291985661358
整理番号:13A1204967
ゲート酸化膜厚非対称性に適応した共通ダブルゲートMOSFETのための非準静的電荷モデル
Nonquasi-Static Charge Model for Common Double-Gate MOSFETs Adapted to Gate Oxide Thickness Asymmetry
著者 (2件):
SHARAN Neha
(Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
,
MAHAPATRA Santanu
(Indian Inst. Sci., Bangalore, IND)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
7
ページ:
2419-2422
発行年:
2013年07月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)