文献
J-GLOBAL ID:201302292055320603
整理番号:13A1749016
DSAリソグラフィーによる28nmピッチSiフィンの作製
Fabrication of 28nm pitch Si fins with DSA lithography
著者 (12件):
SCHMID Gerard
(GLOBALFOUNDRIES, NY)
,
FARRELL Richard
(GLOBALFOUNDRIES, NY)
,
XU Ji
(GLOBALFOUNDRIES, NY)
,
PARK Chanro
(GLOBALFOUNDRIES, NY)
,
PREIL Moshe
(GLOBALFOUNDRIES, CA)
,
CHAKRAPANI Vidhya
(Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY)
,
MOHANTY Nihar
(Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY)
,
KO Akiteru
(Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY)
,
CICORIA Michael
(Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY)
,
HETZER David
(Tokyo Electron Technol. Center, America, LLC., NY)
,
SOMERVELL Mark
(Tokyo Electron America, Inc., TX)
,
RATHSACK Benjamen
(Tokyo Electron America, Inc., TX)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
8680
ページ:
86801F.1-86801F.12
発行年:
2013年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)