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文献
J-GLOBAL ID：201302292238509934
整理番号：13A1033100
将来の歪シリコン金属酸化物半導体電界効果トランジスタのためのシリコン-カーボン固溶体材料のキャラクタライゼーション
Characterization of silicon-carbon alloy materials for future strained Si metal oxide semiconductor field effect transistors
HSIEH B.-f.
(Dep. of Electrical Engineering and Graduate Inst. of Optoelectronic Engineering, National Chung Hsing Univ. ...)
,
CHANG S.t.
(Dep. of Electrical Engineering and Graduate Inst. of Optoelectronic Engineering, National Chung Hsing Univ. ...)
,
LEE M.h.
(Inst. of Electro-Optical Sci. and Technol., National Taiwan Normal Univ., Taipei, Taiwan)
資料名：
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻： 529 ページ： 444-448 発行年： 2013年02月01日
JST資料番号： B0899A ISSN： 0040-6090 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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