文献
J-GLOBAL ID:201302292481792954
整理番号:13A1578026
フィールドプレート金属技術を用いた,ZrZnO薄膜トランジスタにおける表面トラップで誘発された雑音の低減
Low Surface Traps Induced Noise ZrZnO Thin-Film Transistor Using Field-Plate Metal Technology
著者 (6件):
CHIU Hsien-Chin
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
WANG Hsiang-Chun
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
LUO Yi-Cheng
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
HUANG Fan-Hsiu
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
KAO Hsuan-Ling
(Chang Gung Univ., Taoyuan, TWN)
,
HSUEH Kuang-Po
(Vanung Univ., Taoyuan, TWN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
9,Issue 1
ページ:
094202.1-094202.4
発行年:
2013年09月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)