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文献
J-GLOBAL ID：201302292670884584
整理番号：13A0633074
太陽電池応用に対する半導体BaSi2薄膜における1020cm-3を超えるin situ重度p型ドーピング
In-situ heavily p-type doping of over 1020 cm-3 in semiconducting BaSi2 thin films for solar cells applications
AJMAL KHAN M.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
HARA K. O.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
,
DU W.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
BABA M.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
NAKAMURA K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
SUZUNO M.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
TOKO K.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
,
USAMI N.
(Inst. for Materials Res., Tohoku Univ., Sendai, Miyagi 980-8577, JPN)
,
SUEMASU T.
(Inst. of Applied Physics, Univ. of Tsukuba, Tsukuba, Ibaraki 305-8573, JPN)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 102 号： 11 ページ： 112107-112107-3 発行年： 2013年03月18日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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