文献
J-GLOBAL ID:201302292680994280
整理番号:13A0621773
正バイアス温度ストレス印加のもとにおける電子トラップ変換
Electron Trap Transformation Under Positive-Bias Temperature Stressing
著者 (5件):
GAO Y.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
ANG D.S.
(Nanyang Technological Univ., Singapore)
,
BERSUKER G.
(SEMATECH, TX, USA)
,
YOUNG C.D.
(SEMATECH, TX, USA)
,
YOUNG C.D.
(Univ. Texas at Dallas, TX, USA)
資料名:
IEEE Electron Device Letters
(IEEE Electron Device Letters)
巻:
34
号:
3
ページ:
351-353
発行年:
2013年03月
JST資料番号:
B0344B
ISSN:
0741-3106
CODEN:
EDLEDZ
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)