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文献
J-GLOBAL ID：201302293300559885
整理番号：13A0539377
表面-賦活化結合を用いたp-Si/n-GaAsヘテロ接合の電気特性
Electrical Properties of p-Si/n-GaAs Heterojunctions by Using Surface-Activated Bonding
LIANG Jianbo
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
MIYAZAKI Tatsuya
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
MORIMOTO Masashi
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
NISHIDA Shota
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
WATANABE Noriyuki
(Nippon Telegraph and Telephone Corp., Kanagawa, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 6 号： 2 ページ： 021801.1-021801.3 発行年： 2013年02月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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