文献
J-GLOBAL ID:201302293642675410
整理番号:13A1780880
Ge基板上へのリーク電流の少ないCaxSr1-xF2/SrF2薄膜エピタキシャル層の成長
Growth of Thin Epitaxial CaxSr1-XF2/SrF2 Layers with Low Leakage Current on Ge Substrates
著者 (2件):
TAKAHASHI Keita
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
,
TSUTSUI Kazuo
(Tokyo Inst. Technol., Yokohama, JPN)
資料名:
Japanese Journal of Applied Physics
(Japanese Journal of Applied Physics)
巻:
52
号:
10,Issue 1
ページ:
100203.1-100203.4
発行年:
2013年10月25日
JST資料番号:
G0520B
ISSN:
0021-4922
CODEN:
JJAPB6
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)