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文献
J-GLOBAL ID：201302293810198500
整理番号：13A1033332
Ni/n-GaSbショットキーダイオードの電気的特性
The electrical characteristics of Ni/n-GaSb Schottky diode
HUANG Wen-chang
(Dep. of Electro-Optical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003 ...)
,
LIN Tien-chai
(Dep. of Electrical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003, Taiwan ...)
,
HORNG Chia-tsung
(Dep. of Electro-Optical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003 ...)
,
LI Yu-huang
(Dep. of Electro-Optical Engineering, Kun Shan Univ., No.949, Da Wan Road, Yung-Kang District, Tainan City, 71003 ...)
資料名：
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16 号： 2 ページ： 418-423 発行年： 2013年04月
JST資料番号： W1055A ISSN： 1369-8001 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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