文献
J-GLOBAL ID:201302293844733897
整理番号:13A0633048
AlGaN/AlN/GaNヘテロ構造のAlN界面の原子プローブ解析
Atom probe analysis of AlN interlayers in AlGaN/AlN/GaN heterostructures
著者 (6件):
MAZUMDER Baishakhi
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
KAUN Stephen W.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
LU Jing
(Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
KELLER Stacia
(Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
MISHRA Umesh K.
(Electrical and Computer Engineering Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
,
SPECK James S.
(Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, California 93106, USA)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
11
ページ:
111603-111603-5
発行年:
2013年03月18日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)