文献
J-GLOBAL ID:201302294100198892
整理番号:13A0495266
GaNアバランシェフォトダイオードのアバランシェ発生時点での暗電流と活性化エネルギーの温度依存性
Temperature dependence of the dark current and activation energy at avalanche onset of GaN Avalanche Photodiodes
著者 (5件):
ULMER M. P.
(Northwestern Univ., IL, USA)
,
CICEK E.
(Northwestern Univ., IL, USA)
,
MCCLINTOCK R.
(Northwestern Univ., IL, USA)
,
VASHAEI Z.
(Northwestern Univ., IL, USA)
,
RAZEGHI M.
(Northwestern Univ., IL, USA)
資料名:
Proceedings of SPIE
(Proceedings of SPIE)
巻:
8460
ページ:
84601G.1-84601G.8
発行年:
2012年
JST資料番号:
D0943A
ISSN:
0277-786X
CODEN:
PSISDG
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)