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文献
J-GLOBAL ID：201302294269978587
整理番号：13A1328373
GaAs表面上のイオン照射によって誘起されたGaナノ粒子の運動の起源
Origins of ion irradiation-induced Ga nanoparticle motion on GaAs surfaces
KANG M.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
,
WU J. H.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
,
SOFFERMAN D. L.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
,
BESKIN I.
(Dep. of Physics, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-1040, USA)
,
CHEN H. Y.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
,
THORNTON K.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
,
GOLDMAN R. S.
(Dep. of Materials Sci. and Engineering, Univ. of Michigan, Ann Arbor, Michigan 48109-2136, USA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 7 ページ： 072115-072115-3 発行年： 2013年08月12日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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