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文献
J-GLOBAL ID：201302294277352700
整理番号：13A1365939
3C-SiC(100)/Si(100)基板上のエピタクシーナノグラフェンのエッジ状態
Edge state in epitaxial nanographene on 3C-SiC(100)/Si(100) substrate
VELEZ-FORT E.
(Lab. de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), Route de Nozay, 91460 Marcoussis, FRA)
,
SILLY M. G.
(Synchrotron-SOLEIL, Saint-Aubin, BP48, F91192 Gif sur Yvette Cedex, FRA)
,
BELKHOU R.
(Synchrotron-SOLEIL, Saint-Aubin, BP48, F91192 Gif sur Yvette Cedex, FRA)
,
SHUKLA A.
(IMPMC, Univ. Pierre et Marie Curie CNRS - UMR7590, 4 Pl. Jussieu, 75005 Paris, FRA)
,
SIROTTI F.
(Synchrotron-SOLEIL, Saint-Aubin, BP48, F91192 Gif sur Yvette Cedex, FRA)
,
OUERGHI A.
(Lab. de Photonique et de Nanostructures (LPN-CNRS), Route de Nozay, 91460 Marcoussis, FRA)
資料名：
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻： 103 号： 8 ページ： 083101-083101-4 発行年： 2013年08月19日
JST資料番号： H0613A ISSN： 0003-6951 CODEN： APPLAB 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： アメリカ合衆国 (USA) 言語： 英語 (EN)
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