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文献
J-GLOBAL ID：201302294535238209
整理番号：13A0953830
808nmで発光するハイパワーレーザダイオードのためのAl0.85Ga0.15AsのMOVPE成長
MOVPE growth of Al0.85Ga0.15As for high power laser diodes emitting at 808nm
BUGGE Frank
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU)
,
NETZEL Carsten
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU)
,
WEYERS Markus
(Ferdinand-Braun-Institut, Leibniz-Institut fuer Hoechstfrequenztechnik, Gustav-Kirchhoff-Strasse 4, 12489 Berlin, DEU)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 370 ページ： 221-225 発行年： 2013年05月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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