文献
J-GLOBAL ID:201302295078174115
整理番号:13A0405017
Si上に成長させたAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタの電気測定
Electrical Measurements of an AlGaN/GaN High-electron-mobility Transistor Structure Grown on Si
著者 (11件):
ZHANG Zhi-Yao
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LO Shun-Tsung
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIN Li-Hung
(National Chiayi Univ., Chiayi, TWN)
,
CHEN Kuang Yao
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
HUANG J. Z.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
SUN Zhi-Hao
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
LIANG C.-T.
(National Taiwan Univ., Taipei, TWN)
,
CHEN N. C.
(Chang Gang Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
CHANG Chin-An
(Chang Gang Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
CHANG P. H.
(Chang Gang Univ., Tao-Yuan, TWN)
,
CHANG P. H.
(National Taipei Univ. Technol., Taipei, TWN)
資料名:
Journal of the Korean Physical Society
(Journal of the Korean Physical Society)
巻:
61
号:
9
ページ:
1471-1475
発行年:
2012年11月15日
JST資料番号:
T0357A
ISSN:
0374-4884
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
韓国 (KOR)
言語:
英語 (EN)