文献
J-GLOBAL ID:201302295930411064
整理番号:13A0975853
パルスレーザ堆積したBaTiO3/ZnOヘテロ構造の光及び抵抗スイッチング挙動に及ぼす半導体層厚みの影響
Semiconductor layer thickness impact on optical and resistive switching behavior of pulsed laser deposited BaTiO3/ZnO heterostructures
著者 (5件):
SEKHAR K. C.
(Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT)
,
SILVA J. P. B.
(Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT)
,
KAMAKSHI Koppole
(Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT)
,
PEREIRA M.
(Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT)
,
GOMES M. J. M.
(Centre of Physics, Univ. of Minho, Campus de Gualtar, 4710057 Braga, PRT)
資料名:
Applied Physics Letters
(Applied Physics Letters)
巻:
102
号:
21
ページ:
212903-212903-4
発行年:
2013年05月27日
JST資料番号:
H0613A
ISSN:
0003-6951
CODEN:
APPLAB
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)