文献
J-GLOBAL ID:201302295945135080
整理番号:13A1146056
Si,サファイアおよびSiC上に成長させたAlGaN/GaN HEMTの順方向特性に及ぼす薄いゲート絶縁膜(SiO2,SiN,Al2O3およびHfO2)の影響のモデル化
Modeling the effect of thin gate insulators (SiO2, SiN, Al2O3 and HfO2) on AlGaN/GaN HEMT forward characteristics grown on Si, sapphire and SiC
著者 (4件):
PEREZ-TOMAS A.
(IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP)
,
FONTSERE A.
(IMB-CNM-CSIC, Campus UAB, 08193 Bellaterra, Barcelona, ESP)
,
JENNINGS M.r.
(School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, England, GBR)
,
GAMMON P.m.
(School of Engineering, Univ. of Warwick, Coventry CV4 7AL, England, GBR)
資料名:
Materials Science in Semiconductor Processing
(Materials Science in Semiconductor Processing)
巻:
16
号:
5
ページ:
1336-1345
発行年:
2013年10月
JST資料番号:
W1055A
ISSN:
1369-8001
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
イギリス (GBR)
言語:
英語 (EN)