文献
J-GLOBAL ID:201302296051534736
整理番号:13A1796010
プロセッサの有効電力を減らす不揮発性磁気キャッシュのための先進垂直MTJベースの二重セルによる250MHz256b-I/O1MbSTT-MRAM
A 250-MHz 256b-I/O 1-Mb STT-MRAM with Advanced Perpendicular MTJ based Dual Cell for Nonvolatile Magnetic Caches to Reduce Active Power of Processors
著者 (10件):
NOGUCHI Hiroki
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KUSHIDA Keiichi
(Toshiba, Kawasaki, JPN)
,
IKEGAMI Kazutaka
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
ABE Keiko
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KITAGAWA Eiji
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KASHIWADA Saori
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAMATA Chikayoshi
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
,
KAWASUMI Atsushi
(Toshiba, Kawasaki, JPN)
,
HARA Hiroyuki
(Toshiba, Kawasaki, JPN)
,
FUJITA Shinobu
(Toshiba Corp., Kawasaki, JPN)
資料名:
Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology
(Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Technology)
巻:
2013
ページ:
143-144
発行年:
2013年
JST資料番号:
A0035B
ISSN:
0743-1562
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
短報
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)