文献
J-GLOBAL ID:201302296180737813
整理番号:13A0358866
4H-SiC単結晶の熱伝導率
Thermal conductivity of 4H-SiC single crystals
著者 (8件):
WEI Rusheng
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
SONG Sheng
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
YANG Kun
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
CUI Yingxin
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
PENG Yan
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
CHEN Xiufang
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
HU Xiaobo
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
,
XU Xiangang
(State Key Lab. of Crystal Materials, Shandong Univ., Jinan 250100, CHN)
資料名:
Journal of Applied Physics
(Journal of Applied Physics)
巻:
113
号:
5
ページ:
053503-053503-4
発行年:
2013年02月07日
JST資料番号:
C0266A
ISSN:
0021-8979
CODEN:
JAPIAU
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)