文献
J-GLOBAL ID:201302297214109210
整理番号:13A0097544
照射した素子の電荷収集に対する高レベルのキャリア発生条件の重要性
The Significance of High-Level Carrier Generation Conditions for Charge Collection in Irradiated Devices
著者 (8件):
HOOTEN N. C.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
EDMONDS L. D.
(ICS Electronics Co., CA, USA)
,
BENNETT W. G.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
AHLBIN J. R.
(Univ. Southern California, VA, USA)
,
DODDS N. A.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
REED R. A.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
SCHRIMPF R. D.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
,
WELLER R. A.
(Vanderbilt Univ., TN, USA)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
59
号:
6,Pt.1
ページ:
2710-2721
発行年:
2012年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)