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文献
J-GLOBAL ID：201302299925796034
整理番号：13A1419011
β-Ga2O3におけるSiイオン注入と低抵抗オーミック接触作製へのその応用
Si-Ion Implantation Doping in β-Ga2O3 and Its Application to Fabrication of Low-Resistance Ohmic Contacts
SASAKI Kohei
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
SASAKI Kohei
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. Information and Communications Technol., Tokyo, JPN)
,
KURAMATA Akito
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
,
MASUI Takekazu
(Koha Co., Ltd., Tokyo, JPN)
,
YAMAKOSHI Shigenobu
(Tamura Corp., Saitama, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 6 号： 8 ページ： 086502.1-086502.4 発行年： 2013年08月25日
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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