文献
J-GLOBAL ID:201402201274834894
整理番号:14A0551336
溶融KCl+KOHでの化学エッチングを用いた4H-SiCウエハの機械研磨誘起表面損傷の除去
Removal of mechanical-polishing-induced surface damages on 4H-SiC wafers by using chemical etching with molten KCl+KOH
著者 (4件):
YAO Yong-Zhao
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
ISHIKAWA Yukari
(Japan Fine Ceramics Center, Nagoya, JPN)
,
SUGAWARA Yoshihiro
,
SATO Koji
資料名:
Materials Science Forum
(Materials Science Forum)
巻:
778/780
号:
Pt.2
ページ:
746-749
発行年:
2014年
JST資料番号:
D0716B
ISSN:
0255-5476
資料種別:
逐次刊行物 (A)
発行国:
スイス (CHE)
言語:
英語 (EN)