文献
J-GLOBAL ID:201402201412705421
整理番号:14A0511816
CMOSのためのInGaAs MOSFET:プロセス技術の最近の進歩
InGaAs MOSFETs for CMOS: Recent Advances in Process Technology
著者 (9件):
DEL ALAMO J.A.
(MIT, MA, USA)
,
ANTONIADIS D.
(MIT, MA, USA)
,
GUO A.
(MIT, MA, USA)
,
KIM D.-H.
(Global Foundries, NY, USA)
,
KIM T.-W.
(Sematech, NY, USA)
,
LIN J.
(MIT, MA, USA)
,
LU W.
(MIT, MA, USA)
,
VARDI A.
(MIT, MA, USA)
,
ZHAO X.
(MIT, MA, USA)
資料名:
Technical Digest. International Electron Devices Meeting
(Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻:
2013
ページ:
24-27
発行年:
2013年
JST資料番号:
C0829B
ISSN:
0163-1918
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)