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文献
J-GLOBAL ID：201402202028763801
整理番号：14A0293680
RF受動素子集積用の最新Si系基板:局所多孔性Si層技術とトラップの多い高抵抗Siの比較
Advanced Si-based substrates for RF passive integration: Comparison between local porous Si layer technology and trap-rich high resistivity Si
SARAFIS P.
(Terma Patriarchou Grigoriou, Athens, GRC)
,
HOURDAKIS E.
(Terma Patriarchou Grigoriou, Athens, GRC)
,
NASSIOPOULOU A.G.
(Terma Patriarchou Grigoriou, Athens, GRC)
,
NEVE C. Roda
(Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL)
,
ALI K. Ben
(Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL)
,
RASKIN J.-P.
(Univ. catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 87 ページ： 27-33 発行年： 2013年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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