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文献
J-GLOBAL ID：201402202076633367
整理番号：14A0910919
原子層堆積による酸化ガリウム緩衝層は亜酸化銅太陽電池に1.2V開回路起電力を可能にする
Atomic Layer Deposited Gallium Oxide Buffer Layer Enables 1.2V Open-Circuit Voltage in Cuprous Oxide Solar Cells
LEE Yun Seog
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
CHUA Danny
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
BRANDT Riley E.
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
SIAH Sin Cheng
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
LI Jian V.
(National Renewable Energy Lab., Colorado, USA)
,
MAILOA Jonathan P.
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
,
LEE Sang Woon
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
GORDON Roy G.
(Harvard Univ., Massachusetts, USA)
,
BUONASSISI Tonio
(Massachusetts Inst. Technol., Massachusetts, USA)
資料名：
Advanced Materials
(Advanced Materials)
巻： 26 号： 27 ページ： 4704-4710 発行年： 2014年07月16日
JST資料番号： W0001A ISSN： 0935-9648 CODEN： ADVMEW 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報 発行国： ドイツ (DEU) 言語： 英語 (EN)
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