文献
J-GLOBAL ID:201402202124927190
整理番号:14A0056090
パターンサファイア基板を変えることによるInGaAs活性層の圧電場低減
Reducing a Piezoelectric Field in InGaN Active Layers by Varying Pattern Sapphire Substrates
著者 (5件):
LIN Chia-Feng
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
CHEN Kuei-Ting
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
TSENG Wang-Po
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
SHIEH Bing-Cheng
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
,
HSIEH Chang-Hua
(National Chung Hsing Univ., Taichung, TWN)
資料名:
IEEE Transactions on Electron Devices
(IEEE Transactions on Electron Devices)
巻:
60
号:
12
ページ:
4180-4184
発行年:
2013年12月
JST資料番号:
C0222A
ISSN:
0018-9383
CODEN:
IETDAI
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)