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文献
J-GLOBAL ID：201402202392988134
整理番号：14A0293689
酸化に対する初期的保護のためin situ CVD SiNx膜を持つInAs/AlSb HEMTsのDC,RFおよび雑音性能
DC, RF and noise performance of InAs/AlSb HEMTs with in situ CVD SiNX-film for early-protection against oxidation
MOSCHETTI Giuseppe
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
,
LEFEBVRE Eric
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
,
LEFEBVRE Eric
(OSRAM Opto Semiconductors GmbH, Regensburg, DEU)
,
FAGERLIND Martin
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
,
FAGERLIND Martin
(NXP Semiconductors, Nijmegen, NLD)
,
NILSSON Per-Ake
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
,
DESPLANQUE Ludovic
(Univ. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
WALLART Xavier
(Univ. Lille, Villeneuve d’Ascq, FRA)
,
GRAHN Jan
(Chalmers Univ. Technol., Goeteborg, SWE)
資料名：
Solid-State Electronics
(Solid-State Electronics)
巻： 87 ページ： 85-89 発行年： 2013年
JST資料番号： H0225A ISSN： 0038-1101 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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