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文献
J-GLOBAL ID：201402204190417146
整理番号：14A0295915
MOVPE再成長により形成した(111)B面を有する高移動度三角形状InGaAs-OI nMOSFETs
High Electron Mobility Triangular InGaAs-OI nMOSFETs with (111)B Side Surfaces Formed by MOVPE Regrowth
入沢寿史
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
小田穣
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
池田圭司
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
守山佳彦
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
三枝栄子
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
JEVASUWAN W.
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
前田辰郎
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
,
市川麿
(住友化学)
,
長田剛規
(住友化学)
,
秦雅彦
(住友化学)
,
宮本恭幸
(東京工大)
,
手塚勉
(産総研 グリーンナノエレクトロニクスセ)
資料名：
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 113 号： 420(SDM2013 135-146) ページ： 9-12 発行年： 2014年01月22日
JST資料番号： S0532B ISSN： 0913-5685 資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文 発行国： 日本 (JPN) 言語： 日本語 (JA)
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