文献
J-GLOBAL ID:201402204661151303
整理番号:14A0689015
シリコンウエハーの高速化学乾式薄層化の間,ガス濃度の変化を通した曲げ応力の強化と表面粗さの低減
Enhancement of flexural stress and reduction of surface roughness through changes in gas concentrations during high-speed chemical dry thinning of silicon wafers
著者 (3件):
KIM I.j.
(Dep. of Advanced Materials Sci. & Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi-do 440-746, KOR)
,
LEE N.-e.
(Dep. of Advanced Materials Sci. & Engineering, Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi-do 440-746, KOR)
,
LEE N.-e.
(SKKU Advanced Inst. of Nanotechnology (SAINT), Sungkyunkwan Univ., Suwon, Gyeonggi-do 440-746, KOR)
資料名:
Thin Solid Films
(Thin Solid Films)
巻:
547
ページ:
173-177
発行年:
2013年11月29日
JST資料番号:
B0899A
ISSN:
0040-6090
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
オランダ (NLD)
言語:
英語 (EN)