文献
J-GLOBAL ID:201402204707437703
整理番号:14A0141453
AlGaN/GaN HEMT中の単一イオン衝突による電荷収集の増大
Enhanced Charge Collection by Single Ion Strike in AlGaN/GaN HEMTs
著者 (7件):
ONODA S.
(Japan Atomic Energy Agency(JAEA), Gunma, JPN)
,
HASUIKE A.
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
NABESHIMA Y.
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SASAKI H.
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
YAJIMA K.
(Mitsubishi Electric Corp., Hyogo, JPN)
,
SATO S.-i.
(Japan Atomic Energy Agency(JAEA), Gunma, JPN)
,
OHSHIMA T.
(Japan Atomic Energy Agency(JAEA), Gunma, JPN)
資料名:
IEEE Transactions on Nuclear Science
(IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻:
60
号:
6,Pt.1
ページ:
4446-4450
発行年:
2013年12月
JST資料番号:
C0235A
ISSN:
0018-9499
CODEN:
IETNAE
資料種別:
逐次刊行物 (A)
記事区分:
原著論文
発行国:
アメリカ合衆国 (USA)
言語:
英語 (EN)