文献
J-GLOBAL ID:201402205456193628
整理番号:14A0891257
酸化物ナノ薄膜を用いた原子スイッチ型抵抗変化メモリーとその応用
Atomic Switch-type Resistive Switching Memory using Oxide Nanofilms and Its Applications
著者 (2件):
鶴岡徹
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
,
長谷川剛
(物質・材料研究機構 国際ナノアーキテクトニクス研究拠点)
資料名:
電子情報通信学会技術研究報告
(IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻:
114
号:
88(SDM2014 43-61)
ページ:
85-90
発行年:
2014年06月12日
JST資料番号:
S0532B
ISSN:
0913-5685
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)