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文献
J-GLOBAL ID：201402206316516687
整理番号：14A1064741
その場RF-MBE法によるAlN/GaNヘテロ構造上への結晶化AlOxの成長
Growth of crystallized AlO x on AlN/GaN heterostructures by in-situ RF-MBE
SUGIURA Yohei
(Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kogakuin Univ., 2665-1 Nakano ...)
,
SUGIURA Yohei
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
,
HONDA Tohru
(Dep. of Electrical Engineering and Electronics, Graduate School of Engineering, Kogakuin Univ., 2665-1 Nakano ...)
,
HIGASHIWAKI Masataka
(National Inst. of Information and Communications Technol., 4-2-1 Nukui-Kitamachi, Koganei, Tokyo 184-8795, JPN)
資料名：
Journal of Crystal Growth
(Journal of Crystal Growth)
巻： 405 ページ： 64-67 発行年： 2014年11月01日
JST資料番号： B0942A ISSN： 0022-0248 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： オランダ (NLD) 言語： 英語 (EN)
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