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文献
J-GLOBAL ID：201402207830996295
整理番号：14A0552084
AlN/Si (111)上に成長させた厚さ(~1μm)InxGa1-xN(x ~ 0.3)の相分離 金属的In-GaとGaNリッチなInGaNの同時出現
Phase separation of thick (~1μm) InxGa1-xN (x~0.3) grown on AlN/Si(111): Simultaneous emergence of metallic In-Ga and GaN-rich InGaN
YAMAMOTO Akio
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
YAMAMOTO Akio
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
HASAN Tanvir
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
HASAN Tanvir
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
MIHARA Akihiro
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
,
MIHARA Akihiro
(JST-CREST, Tokyo, JPN)
,
NARITA Norihiko
(Kansai Electric Power Co., Inc., Hyogo, JPN)
,
SHIGEKAWA Naoteru
(Osaka City Univ., Osaka, JPN)
,
KUZUHARA Masaki
(Univ. Fukui, Fukui, JPN)
資料名：
Applied Physics Express
(Applied Physics Express)
巻： 7 号： 3 ページ： 035502.1-035502.4 発行年： 2014年03月
JST資料番号： F0599C ISSN： 1882-0778 CODEN： APEPC4 資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文 発行国： イギリス (GBR) 言語： 英語 (EN)
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